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GRL DNT3-R1J-1000A/DC 1000A DC1000V aR fusible para semiconductores
GRL

GRL DNT3-R1J-1000A/DC 1000A DC1000V aR fusible para semiconductores

Referencia: DNT3-R1J-1000A/DC

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GRL DNT3-R1J-1000A/DC según catálogo: 1000A DC1000V aR.

Corriente nominal1000A
Tensión nominalDC1000V
Capacidad de corte50kA
EnvaseDNT3
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GRL DNT3-R1J-1000A/DC 1000A DC1000V aR fusible para semiconductores

Capacidad de corte: 50kA; Norma de referencia: GB/T 13539.4|IEC 60269-4; Marcas de certificación: CCC · CE · TUV; Formato / tamaño: DNT3; Intervalo de temperatura: −5°C a +40°C.

Aplicación: para semiconductores, industrial.

Confirme los requisitos finales de corriente, tensión, capacidad de corte e instalación con el catálogo GRL antes del diseño.

Especificaciones técnicas

Referencia
DNT3-R1J-1000A/DC
Referencia del fabricante
DNT3-R1J-1000A/DC
Serie
DNT3 Series
Corriente nominal
1000A
Tensión nominal
DC1000V
CA / CC
DC
Capacidad de corte
50kA
Temperatura de funcionamiento
−5°C to +40°C
Encapsulado / Dimensiones
DNT3
Aplicación
Industrial · Semiconductor
Norma
GB/T 13539.4 · IEC 60269-4
Categoría de utilización
aR
Homologaciones
CCC · CE · TUV
Certificaciones
CCC · CE · TUV
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